Pat

J-GLOBAL ID：200903005567002575

半導体ダイヤモンドの形成方法及び装置

Inventor： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302130
Publication number (International publication number)：1994151331
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】ダイヤモンドまたは基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に加速した粒子を照射しながら、ラジカル状態またはイオン状態の水素を含む雰囲気に晒すことにより、ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、p形およびn形の半導体ダイヤモンドを形成する。【構成】ダイヤモンド1を基板保持台7に設置して真空にし、粒子2としてイオン源より取り出されたホウ素イオン(B+ )を100keVに加速してダイヤモンド1に1×1015個/cm2 照射しながら、バケット型イオン源14よりイオン電流密度として 0.01 〜0.1mA/cm2 の水素イオンを同時に照射する。ダイヤモンド1の表層約 0.3μmの領域にホウ素原子が打ち込まれ、かつ損傷がなくホウ素が活性化したp型の半導体ダイヤモンド層4が形成できる。同様にリンイオンを照射するとn形の半導体ダイヤモンド層が形成できる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドまたは基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に加速した粒子を照射しながら、ラジカル状態またはイオン状態の水素を含む雰囲気に晒すことからなる半導体ダイヤモンドの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 材料の損傷除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-256822   Applicant：松下電器産業株式会社, 大阪ダイヤモンド工業株式会社
• 特開平1-100093