Pat
J-GLOBAL ID:200903005616679977

超純水製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 畑中 芳実 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997319898
Publication number (International publication number):1998202296
Application date: Nov. 20, 1997
Publication date: Aug. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体産業におけるシリコンウエハの洗浄等に用いられる超純水の製造装置において、有機物を含む被処理水中の有機物除去を行う経路(例えば回収系や二次純水系)における有機物除去の効率化を図る。【解決手段】 有機物を含有する被処理水を通水する逆浸透膜装置42と、逆浸透膜装置42の透過水にアルカリ性条件下でオゾンを添加することによりこの透過水中に含まれる有機物を酸化分解する有機物酸化装置44とを具備する超純水製造装置とする。有機物酸化装置44では、気液撹拌混合手段によって被処理水にオゾンを添加すること、被処理水のpHが9.7以上のアルカリ性条件下で被処理水にオゾンを添加すること、被処理水に対するオゾン添加量が3〜40ppmとなるように被処理水にオゾンを添加することが好ましい。また、逆浸透膜装置42の上流側又は逆浸透膜装置42と有機物酸化装置44との間に、あるいは逆浸透膜装置42に代えて、OH形の陰イオン交換樹脂を用いた陰イオン交換装置40を設けることができる。
Claim (excerpt):
有機物を含有する被処理水を通水する逆浸透膜装置と、前記逆浸透膜装置の透過水にアルカリ性条件下でオゾンを添加することにより該透過水中に含まれる有機物を酸化分解する有機物酸化装置とを具備することを特徴とする超純水製造装置。
IPC (9):
C02F 9/00 502 ,  C02F 9/00 ,  C02F 9/00 503 ,  C02F 9/00 504 ,  C02F 1/20 ,  C02F 1/42 ,  C02F 1/44 ,  C02F 1/58 ,  C02F 1/78
FI (10):
C02F 9/00 502 F ,  C02F 9/00 502 J ,  C02F 9/00 502 R ,  C02F 9/00 503 B ,  C02F 9/00 504 B ,  C02F 1/20 A ,  C02F 1/42 A ,  C02F 1/44 J ,  C02F 1/58 H ,  C02F 1/78
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page