ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：柳田征史 , 佐久間剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009055156
Publication number (International publication number)：2009242229
Application date： Mar. 09, 2009
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。【解決手段】下記一般式(P)で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式(1)及び(2)を充足する条件で、組成を決定する。 (Ba,Bi,A)(Ti,Fe,M)O3・・・(P)、 0.98≦TF(P)≦1.02・・・(1)、 TF(BiFeO3)<TF(AMO3)<TF(BaTiO3)・・・(2)(式(P)中、Ba,Bi,及びAはAサイト元素、Ti,Fe,及びMはBサイト元素。A及びMは、Pbを除く各々1種又は複数種の金属元素である。式(1),(2)中、TF(P)は上記一般式(P)で表される酸化物の許容因子、TF(BiFeO3)、TF(AMO3)、及びTF(BaTiO3)はそれぞれ()内に記載の酸化物の許容因子である。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(P)で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式(1)及び(2)を充足する条件で、組成を決定することを特徴とするペロブスカイト型酸化物の製造方法。 (Ba,Bi,A)(Ti,Fe,M)O3・・・(P) (式(P)中、Ba,Bi,及びAはAサイト元素、Ti,Fe,及びMはBサイト元素。A及びMは、Pbを除く各々1種又は複数種の金属元素である。 AがBa及び/又はBiである場合、Mは、Ti及びFe以外の元素である。 MがTi及び/又はFeである場合、Aは、Ba及びBi以外の元素である。 Aサイト元素の総モル数及びBサイト元素の総モル数の、酸素原子のモル数に対する比は、それぞれ1:3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1:3からずれてもよい。)、 0.98≦TF(P)≦1.02・・・(1)、 TF(BiFeO3)<TF(AMO3)<TF(BaTiO3)・・・(2) (式(1),(2)中、TF(P)は上記一般式(P)で表される酸化物の許容因子、TF(BiFeO3)、TF(AMO3)、及びTF(BaTiO3)はそれぞれ()内に記載の酸化物の許容因子である。)

IPC (13)：

C01G 49/00 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , C01G 45/00 , B41J 2/16 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , C01G 23/00

FI (12)：

C01G49/00 A , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01L41/08 C , H01L41/08 L , H01L41/18 101J , H01L41/22 Z , H01L27/10 444C , C01G45/00 , B41J3/04 103H , B41J3/04 103A , C01G23/00 C

F-Term (29)：

2C057AG44 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G002AA08 , 4G002AB01 , 4G002AE05 , 4G047CA05 , 4G047CB04 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4G047CD08 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA13 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-188765 Applicant：富士フイルム株式会社
強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302133 Applicant：シャープ株式会社
圧電磁器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-281358 Applicant：TDK株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

PULSED LASER DEPOSITION OF xBiScO3-(1-x)BaTiO3 THIN FILMS FOR LEAD FREE DIELECTRIC APPLICATIONS
Predicting morphotropic phase boundary locations and transitiontemperatures in Pb- and Bi-based pero
Predicting the position of the morphotropic phase boundary in hightemperature PbTiO3-Bi(B'B'')O3 bas

Show all

Return to Previous Page