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J-GLOBAL ID：200903007415410964

強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 木島 健 ,  佐藤 咲子 ,  松永 宏典 ,  大谷 昇 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302133
Publication number (International publication number)：1996161933
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】強誘電体Bi4Ti3O12を強誘電体不揮発性メモリや焦電センサ等の各種デバイス開発に適用する為に、緻密で表面平滑な強誘電特性の優れたa軸配向膜を再現性良く低温で作製する。【構成】表面にPt電極(4)を形成した基板上(1)にMOCVD法により強誘電体Bi4Ti3O12薄膜(6)を形成する際に、酸化チタンバッファ層(5)を挿入する事でその上に作製されるBi4Ti3O12薄膜の緻密性および表面平滑性の改善が可能となる。さらに、成膜時の基板温度を300°Cから400°Cとし、Bi組成が不足した膜とする事で非晶質酸化チタン媒質の中にBi4Ti3O12の微結晶粒を分散させ、極めて緻密で表面平滑なBi4Ti3O12のa軸配向膜が再現性良く作製できる。

Claim (excerpt)：

強誘電体物質の微小結晶粒子が、強誘電体物質を構成する元素を含む非晶質の媒質中に分散されて成る強誘電体薄膜。

IPC (12)：

H01B 3/02 ,  C01G 29/00 ,  C01G 49/00 ,  H01B 3/10 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/24 ,  H01L 49/02

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-080598
  
• 特開平4-133369
  
• 強誘電体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167860   Applicant：セイコーエプソン株式会社