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J-GLOBAL ID：200903005783091434

半導体容量式加速度センサ

Inventor： 津守 昌彦
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085051
Publication number (International publication number)：1996285884
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】小型化に適した構成で、かつ組立時の作業工程を簡略化することができる半導体容量式加速度センサを提供する。【構成】第1の半導体基板上に形成された第1および第2の電極と、これらに対向した第2の半導体基板に設けられたウエート部の対向面とによって生じる静電容量を検出する。第1および第2の電極は、第1の半導体基板上において、複数の引出電極に接続されるので、第2の半導体基板から信号を導出することなく、第1の半導体基板上の引出電極からのみによって、信号を取り出すことができる。

Claim (excerpt)：

一表面上に第1および第2の電極が設けられた第1の半導体基板と、前記第1の半導体基板に対向して配置して設けられる第2の半導体基板とを有し、前記第2の半導体基板には、前記第1および第2の電極に対向して配設されるウエート部および支持部が設けられ、前記ウエート部はカンチレバーを介して支持部に支持され、前記第1の半導体基板の表面には前記第1および第2の電極に接続された複数の引出電極が形成され、前記第1電極および前記ウエート部の対向面の静電容量と前記第2電極および前記ウエート部の対向面の静電容量とに応じた信号を前記引出電極を介して出力することを特徴とする半導体容量式加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156241   Applicant：株式会社村田製作所
• 特開平3-094169
  
• 静電容量式力学量センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-321455   Applicant：オムロン株式会社