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J-GLOBAL ID：200903005853202387

電界効果型トランジスタ

Inventor： 岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006020983
Publication number (International publication number)：2007201366
Application date： Jan. 30, 2006
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：

【課題】良好なトランジスタ特性と動作安定性を併せ持つ薄膜トランジスタを実現することを目的とする。【解決手段】基板上に、ゲート、ソース、ドレインの各電極15、13、14が形成されてなる電界効果型トランジスタにおいて、In、Zn又はSnを主成分とした酸化物からなるチャネル層11と、チャネル層11とゲート電極15の間に配されるゲート絶縁層12と、を有し、ゲート絶縁層12が、Gaを主成分としたアモルファス酸化物からなることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタにおいて、 In、Zn及びSnから選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体からなるチャネル層と、 当該チャネル層と前記ゲート電極の間に配されるゲート絶縁層と、を有し、 当該ゲート絶縁層が、Gaを主成分とするアモルファス酸化物を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B

F-Term (37)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-078380   Applicant：古河電気工業株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
• 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-273746   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司
• GaN系電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-328873   Applicant：古河電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-273746   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司
• GaN系電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-328873   Applicant：古河電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• "Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor"
• "Reactive Ion Etching of TaN for a Metal GateElectrode and ZrO2 and Gd2O3 for High-k GateInsulators"
• "Gd2O3, Ga2O3(Gd2O3), Y2O3, and Ga2O3, as high-k gate dielectrics onSiGe: A comparative study"
• 「SrTiO3電界効果トランジスタ作製に向けたワイドギャップ絶縁膜の作製と評価」
• "Carrier transport and electronic structure in amorphousoxide semiconductor, a-InGaZnO4"
• "All oxide transparent MISFET using high-k dielectrics gates"
• "Ga2O3(Gd2O3)/InGaAs Enhancement-Mode n-Channel MOSFET’s"

Cited by examiner (7)

• "Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor"
• "Reactive Ion Etching of TaN for a Metal GateElectrode and ZrO2 and Gd2O3 for High-k GateInsulators"
• "Gd2O3, Ga2O3(Gd2O3), Y2O3, and Ga2O3, as high-k gate dielectrics onSiGe: A comparative study"
• 「SrTiO3電界効果トランジスタ作製に向けたワイドギャップ絶縁膜の作製と評価」
• "Carrier transport and electronic structure in amorphousoxide semiconductor, a-InGaZnO4"
• "All oxide transparent MISFET using high-k dielectrics gates"
• "Ga2O3(Gd2O3)/InGaAs Enhancement-Mode n-Channel MOSFET’s"