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J-GLOBAL ID：200903067071152386

酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子

Inventor：
川崎 雅司

About 川崎 雅司

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大久保 勇男

About 大久保 勇男

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齊藤 肇

About 齊藤 肇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社

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川崎 雅司

About 川崎 雅司


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273746
Publication number (International publication number)：2003081692
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 酸化亜鉛系半導体またはIII族窒化物半導体と相互にエピタキシャル成長出来、ワイドギャップ半導体層の極性および格子整合の度合を精密に制御可能な酸化物絶縁体材料およびその形成方法を提供する。【解決手段】 酸化物絶縁体材料は、ABO2なる構成を有すると共に、上記Aの元素がLi、NaおよびKの少なくとも1つを含み、且つ、上記Bの元素がAl、Gaの少なくとも1つを含み、且つ、上記Aの元素と上記Bの元素との和が3つ以上である。上記酸化物絶縁体材料で基板を形成した場合、酸化亜鉛系半導体およびIII族窒化物半導体の面内格子定数に一致する基板を得ることが出来、同種基板を用いた場合と同様の高品質な薄膜結晶を得ることが出来る。
Claim (excerpt)：
ABO2なる構成を有すると共に、上記Aの元素がLi、NaおよびKの少なくとも1つを含み、且つ、上記Bの元素がAl、Gaの少なくとも1つを含み、且つ、上記Aの元素と上記Bの元素との和が3つ以上であることを特徴とする酸化物絶縁体材料。
IPC (5)：
C30B 29/22 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347
FI (6)：
C30B 29/22 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C
F-Term (28)：
4G077AA03 ,  4G077BC01 ,  4G077BC60 ,  4G077DA03 ,  4G077EC07 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA62 ,  5F052DA10 ,  5F052DB07 ,  5F052GC10 ,  5F052KA01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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