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J-GLOBAL ID:200903005871772905

疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002225136
Publication number (International publication number):2003160327
Application date: Aug. 01, 2002
Publication date: Jun. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高い白色度を有し、非常に良好にシリコーンゴム配合物中に混和させることのできる疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用を提供する。【解決手段】 a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカからなる混合物を製造し、b)混合物のコンディショニングを10〜150°Cで0.5〜72時間実施することにより疎水性沈降シリカを製造することにより達せられる。
Claim (excerpt):
以下の特性: 炭素含量 1.0〜8.0% メタノール湿潤性 20〜55% 反射率 >94% BET/CTABの比 ≦1 DBP-吸収量 <250g/100g BET-表面積 50〜110m<SP>2</SP>/g CTAB-表面積 100〜150m<SP>2</SP>/g シアーズ値 <13を特徴とする、疎水性沈降シリカ。
IPC (6):
C01B 33/18 ,  C08K 9/06 ,  C08L 83/04 ,  C08L101/00 ,  C09C 1/28 ,  C09C 3/12
FI (6):
C01B 33/18 C ,  C08K 9/06 ,  C08L 83/04 ,  C08L101/00 ,  C09C 1/28 ,  C09C 3/12
F-Term (25):
4G072AA41 ,  4G072CC14 ,  4G072GG02 ,  4G072HH21 ,  4G072HH29 ,  4G072JJ03 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ07 ,  4G072QQ09 ,  4G072TT04 ,  4G072TT06 ,  4G072TT12 ,  4G072UU08 ,  4J002AA001 ,  4J002AC001 ,  4J002CP031 ,  4J002DJ016 ,  4J002FB266 ,  4J002FD016 ,  4J002GJ00 ,  4J002GN01 ,  4J037AA18 ,  4J037CC28 ,  4J037EE03 ,  4J037EE43
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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