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J-GLOBAL ID：200903005915769001

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
鹿田 真一

About 鹿田 真一


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087260
Publication number (International publication number)：1993291277
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 良好な耐環境性を持つ半導体装置を提供する。【構成】 このトランジスタは、ノンドープのSiC基板111上に、p+ -3CSiC層160,p-3CSiC層150,n+ -3CSiC層140,p-6HSiC層131,p+ -6HSiC層121が順次形成され、p+ -3CSiC層160にはコレクタ電極230が、n+ -3CSiC層140にはベース電極220が、p+ -6HSiC層122にはエミッタ電極210が、それぞれ形成され電気的に接続された構造を有し、p型6HSiCとn型3CSiCによるヘテロ接合を有するPNPトランジスタである。
Claim (excerpt)：
立方晶の炭化ケイ素を主成分とし、所定の多数キャリアを有する第1の半導体層と、立方晶の炭化ケイ素を主成分とし、前記第1の半導体層とは反対極性の多数キャリアを有する第2の半導体層と、六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、前記第1の半導体層と同極性の多数キャリアを有する第3の半導体層とを備え、前記第1の半導体層をコレクタ領域に、前記第2の半導体層をベース領域に、前記第3の半導体層をエミッタ領域に有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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