Pat

J-GLOBAL ID：200903005936436266

閃亜鉛鉱型CrSb、閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造

Inventor： 大野 英男 ,  松倉 文▲礼▼
Applicant, Patent owner： 東北大学長
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002181035
Publication number (International publication number)：2003089600
Application date： Jun. 21, 2002
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 室温で強磁性を示すCrSbを提供するとともに、その製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に、MBE法によりGaAs下地層を形成する。次いで、このGaAs下地層上に、CrSbをMBE法によりエピタキシャル成長させて、閃亜鉛鉱型のCrSbを作製する。

Claim (excerpt)：

室温で閃亜鉛鉱型の結晶構造を有することを特徴とする、CrSb。

IPC (5)：

C30B 29/52 ,  C30B 23/08 ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/363

FI (5)：

C30B 29/52 ,  C30B 23/08 M ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/363

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077AB05 ,  4G077BA07 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077SC02 ,  5E049AA10 ,  5E049AC03 ,  5E049BA30 ,  5E049FC10 ,  5E049HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD27 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子および磁気変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-194246   Applicant：ティーディーケイ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The structure of derectionally solidified GaSb-CrSb eutectic alloy