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J-GLOBAL ID：200903005992692895

張り合わせ用支持基板およびその作製方法

Inventor： 小松 圭 ,  森田 悦郎
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996192959
Publication number (International publication number)：1998022186
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 研磨量が少なくて済む張り合わせ用支持基板の作製方法を提供する。支持基板の安価な作製法を提供する。Fe汚染がない支持基板・その作製法を提供する。【解決手段】 磁器質ボンディング材で砥粒を結合したビトリファイド研削砥石を準備する。#4000のビトリファイド研削砥石でエッチドウェーハ表面を3μm研削する。研削面のTTVは0.35μmとなる。研削面をさらに7μm鏡面研磨で除去する。TTVは0.40μmとなる。トータルで10μmだけ除去する。または、2軸研削機の1軸にビトリファイド砥石(#4000)を、他の軸にレジノイド砥石(#2000)を装着しておく。エッチドウェーハ表面をビトリファイド砥石で3μm、レジノイド砥石で2〜5μm研削する。さらに、5μmだけ鏡面研磨で除去する。高平坦度(TTVで0.40μm程度)を有する張り合わせSOIの支持基板を得られる。エッチドウェーハの研削・研磨量が少なくなる。安価に作製できる。表面にFe汚染がない。

Claim (excerpt)：

エッチング後の半導体ウェーハの片面を、#2000より高番手の砥粒を有するビトリファイド研削砥石を用いて研削した後、この研削面を研磨した張り合わせ用支持基板。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 27/12

FI (4)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211312   Applicant：株式会社東芝
• メカノケミカル研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-119548   Applicant：新日本製鐵株式会社