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J-GLOBAL ID：200903006065168697

強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法

Inventor： 中田 正文 ,  柘植 久尚 ,  塚本 雄二 ,  松寺 久雄 ,  石綿 延行 ,  上條 敦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298567
Publication number (International publication number)：1999134620
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 磁界測定時のノイズの小さい強磁性トンネル接合素子センサを実現する。【解決手段】 基板11上に形成された下電極12、下地層13の上に、適当な大きさ形状にパターン化された第1の反強磁性層14、フリー磁性層15を積層し、トンネルバリア層層16、固定磁性層17、第2の反強磁性層18の5層構造が積層された構造である。第2の反強磁性層の上には上電極19が設けられている。

Claim (excerpt)：

第一の反強磁性層、フリー磁性層、トンネルバリア層、固定磁性層、第二の反強磁性層が順次積層され、第一の反強磁性層の交換結合磁界によりフリー磁性層の磁気異方性がトラック幅方向に向き、第二の反強磁性層の交換結合磁界により固定磁性層の磁気異方性がMR高さ方向に向くことを特徴とする強磁性トンネル接合素子センサ。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-331922   Applicant：株式会社東芝