磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果センサ,磁気記録システム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998097323
Publication number (International publication number)：1999296823
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】熱安定性が高く、磁界測定時のノイズの小さく、再生出力の大きなMRセンサおよびその製造方法、ならびに磁気記録システムを実現する。【解決手段】下ギャップ上に下地層,第1の反強磁性層,界面制御層,フリー磁性層,非磁性層,固定磁性層,第2の反強磁性層が順次積層してなる多層膜を有し、前記界面制御層を介した前記第1の反強磁性層の交換結合磁界により前記フリー磁性層の磁気異方性が前記多層膜の膜面に平行方向(トラック幅方向)に向き、かつ前記第2の反強磁性層の交換結合磁界により前記固定磁性層の磁気異方性が前記多層膜の厚さ(高さ)方向に向く。ここで、第1の反強磁性層の交換結合磁界が発生する上限の温度(ブロッキング温度)をTB1、第2の反強磁性層のブロッキング温度をTB2とすると、TB1>150°C,|TB2-TB1|> 50°Cである。

Claim (excerpt)：

第1の反強磁性層,界面制御層,フリー磁性層,非磁性層,固定磁性層,第2の反強磁性層が順次積層してなる多層膜を有し、前記界面制御層を介した前記第1の反強磁性層の交換結合磁界により前記フリー磁性層の磁気異方性が前記多層膜の膜面に平行方向(トラック幅方向)に向き、かつ前記第2の反強磁性層の交換結合磁界により前記固定磁性層の磁気異方性が前記多層膜の厚さ(高さ)方向に向くことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 10/00 , H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-228077 Applicant：アルプス電気株式会社
特開平1-248578
磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-161294 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Show all

Return to Previous Page