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J-GLOBAL ID：200903006103867197

高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列LEDアレイ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002093914
Publication number (International publication number)：2002359402
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】高抵抗性基層に形成される発光デバイスアレイを提供すること。【解決手段】アレイ用のp及びn型コンタクトが該アレイの同一面に位置するよう直列/並列LEDアレイが高抵抗性基層上に形成される。個別LEDはトレンチ又はイオン注入で電気的に互いに分離される。アレイに堆積させた内部コネクトはアレイにおける個別LEDのコンタクトに接続する。様々の実施形態ではLEDはサファイア基層上に形成されたIII族窒化物デバイスである。一実施形態では、単一の基層上に形成された2つのLEDは逆並列接続され、モノリシック静電放電保護回路を形成する。一実施形態では単一の基層に形成された多数のLEDは直列接続される。一実施形態では単一の基層上に形成された多数のLEDは並列接続される。様々な実施形態では、蛍光体層が、1以上の個別LEDが形成される基層の一部を覆う。

Claim (excerpt)：

高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、前記基層の第1部分の上に形成された第1n型層と、該第1n型層の上に形成された第1活性領域と、該第1活性領域の上に形成された第1p型層と、前記第1n型層に接続された第1n型コンタクトと、前記第1p型層に接続された第1p型コンタクトと、を備えた第1発光デバイスであって、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第1発光デバイスと、前記基層の第2部分の上に形成された第2n型層と、該第2n型層の上に形成された第2活性領域と、該第2活性領域の上に形成された第2p型層と、前記第2n型層に接続された第2n型コンタクトと、前記第2p型層に接続された第2p型コンタクトと、を備えた第2発光デバイスであって、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第2発光デバイスと、前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとを分離する、トレンチおよびイオン注入領域のうちの一方と、前記第1n型コンタクトおよび前記第1p型コンタクトのうちの一方を、前記第2n型コンタクトおよび前記第2p型コンタクトのうちの一方に接続する、第1内部コネクトと、を具備することを特徴とするアレイ。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 27/15

FI (4)：

H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 B , H01L 27/15 Z , H01L 21/88 B

F-Term (46)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104GG04 , 5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033VV00 , 5F041AA12 , 5F041AA21 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA71 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041CB25 , 5F041CB36 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-281512 Applicant：豊田合成株式会社
発光部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331083 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-271297 Applicant：株式会社東芝

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