3族窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996281512
Publication number (International publication number)：1998107316
Application date： Oct. 01, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】3族窒化物半導体発光素子の製造工数を低減し、効率良くウエハからチップを切り出すこと。【解決手段】 3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)から成る n伝導型の n層と p伝導型の p層とを少なくとも有した複数個の発光ダイオード10a,10b,10c 及び10d が同一のサファイア基板上に一体的に形成され, ワンチップ化されている。各ダイオード10a,10b,10c 及び10d 間は溝部11により電気的に分離され, ダイオード10c の p電極7cとダイオード10d の n電極8d, ダイオード10d の p電極7dとダイオード10a の n電極8a, ダイオード10a の p電極7aとダイオード10b の n電極8bとが電気的に接続され, ダイオード10c の n電極8cとダイオード10b の p電極7bb とがそれぞれワイヤボンディングされることによりダイオード10a,10b,10c 及び10d が直列に接続されている。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlXGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn伝導型のn層とp伝導型のp層とを少なくとも有した発光素子において、複数個の前記発光素子が互いに電気的に分離されて同一基板上に一体的に形成され、表面電極パターンにより電気的に接続されたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭51-036085
特開昭60-201680
半導体発光素子アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-151472 Applicant：日本ビクター株式会社

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