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J-GLOBAL ID：200903006105670706
III-V族化合物半導体の成長方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999350259
Publication number (International publication number)：2001168050
Application date： Dec. 09, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 大型の III族元素の窒化物結晶を容易に成長させることができ、かつ欠陥密度の少ない良質な窒化物結晶を安全に成長できる III-V族化合物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 III族元素3を加熱、融解した融液中に、窒素原子を含有するガスgを注入すると共に種結晶5を浸漬させ、その種結晶5上に III族元素の窒化物結晶を成長させる III-V族化合物半導体の成長方法において、ガスgの気泡の通過領域tの周囲に発生する III族元素3の窒化物の過飽和溶解領域k内に、種結晶5を配置させて III族元素3の窒化物結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
III族元素を加熱、融解した融液中に、窒素原子を含有するガスを注入すると共に種結晶を浸漬させ、該種結晶上に III族元素の窒化物結晶を成長させる III-V族化合物半導体の成長方法において、上記ガスの気泡の通過領域の周囲に発生する上記 III族元素の窒化物の過飽和溶解領域内に、上記種結晶を配置させて上記 III族元素の窒化物結晶を成長させることを特徴とする III-V族化合物半導体の成長方法。
F-Term (15)：
5F053AA48
, 5F053AA50
, 5F053BB04
, 5F053BB05
, 5F053BB13
, 5F053BB38
, 5F053BB57
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053HH05
, 5F053LL01
, 5F053RR03
, 5F053RR20
Cited by examiner (1)
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窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-164811
Applicant：日立電線株式会社
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