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J-GLOBAL ID：200903006136718430

半導体素子の実装方法及び半導体装置

Inventor： 福永 明 ,  長澤 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999351796
Publication number (International publication number)：2001168140
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 微細ピッチの電極への接続であっても隣の電極とショートする危険性がなく、安定性が高く、低コストで信頼性の高い電気接続を実現できる半導体素子の実装方法およびその方法で作製した半導体装置を提供する。【解決手段】 実質的に金属成分からなるコア部と、該コア部に化学的に結合した有機物からなる被覆層とからなる複合金属超微粒子を溶媒に分散させて金属ペーストを調整する工程と、該金属ペーストを回路基板20の端子電極22上に付着させて主に複合金属超微粒子からなる金属ペーストボール24を形成する工程と、該金属ペーストボール24上にフェイスダウン法を用いて半導体素子30の電極を接続する工程と、低温焼成により半導体素子30と回路基板20とを電気的に接続する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

実質的に金属成分からなるコア部と、該コア部に化学的に結合した有機物からなる被覆層とからなる複合金属超微粒子を溶媒に分散させて金属ペーストを調整する工程と、該金属ペーストを回路基板の端子電極上に付着させて主に複合金属超微粒子からなる金属ペーストボールを形成する工程と、該金属ペーストボール上にフェイスダウン法を用いて半導体素子の電極を接続する工程と、低温焼成により半導体素子と回路基板とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体素子の実装方法。

F-Term (5)：

5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL07 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-167906
  
• 半導体素子の実装方法およびその製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-142745   Applicant：国際電気株式会社