含フッ素フラレノール誘導体及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 小原健志 , 斎藤健治 , 藤井淳 , 関仁士 , 中野睦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003340768
Publication number (International publication number)：2005104907
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】従来品のフッ素化フラーレンよりもフッ素含有量が多い、含フッ素フラレノールを提供する。【解決手段】下記一般式(1):【化1】〔式中、BはC20+m(但し、mは1〜100の整数)で表わされるフラーレン単位を示す。n+pは1〜30の数(但し、1≦n≦30、0≦p≦29、及び1≦n+p≦20+mを満たす)を示す。〕で表わされる含フッ素フラレノール誘導体であって、上記Aが、1)CaF2a-1O-(但し、aは6〜10の整数)で表わされるパーフルオロアルケニルオキシ基、又は2)CaF2a-1OXCOO-〔式中、aは前記と同じである。Xはフェニル基又はナフチル基を示す。〕で表わされるパーフルオロアルケニルを含有する基であることを特徴とする含フッ素フラレノール誘導体及びその製造方法に係る。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1):

IPC (5)：

C07C43/23 , C07C41/16 , C07C67/14 , C07C69/92 , C07C69/94

FI (5)：

C07C43/23 E , C07C41/16 , C07C67/14 , C07C69/92 , C07C69/94

F-Term (15)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB84 , 4H006AC43 , 4H006AC48 , 4H006BJ50 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006BN30 , 4H006BP30 , 4H006GN03 , 4H006GP06 , 4H006GP12 , 4H006GP20 , 4H006KA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

フッ素化フラーレンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-200212 Applicant：出光興産株式会社
ポリフルオロフラーレン及びこれを含んでなる組成物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-123366 Applicant：マリヤンブラディク
導電性付与剤およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-247873 Applicant：旭硝子株式会社

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Cited by examiner (2)

フラーレン誘導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-421523 Applicant：三菱化学株式会社, フロンティアカーボン株式会社
プロトン伝導体及びその製造方法、プロトン伝導性高分子及びその製造方法、プロトン伝導性高分子組成物、並びに電気化学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-175284 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

FULLERENE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 1999, Vol.7, No.2, p.263-287
Tetrahedron, 2002, Vol.58, p.4041-4047
J. Phys. Chem. Solids, 1997, Vo.58, No.11, p.1753-1756

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