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J-GLOBAL ID:200903006223551649

中空状ナノファイバーの製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 小川 信一 ,  野口 賢照 ,  斎下 和彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002346046
Publication number (International publication number):2004131360
Application date: Nov. 28, 2002
Publication date: Apr. 30, 2004
Summary:
【課題】層数および直径を制御可能にし、グラファイト層の欠陥が少ないカーボンナノチューブを得る中空状ナノファイバーの製造法を提供する。【解決手段】X線光電子分光法で測定したコバルト2P3/2 の電子の結合エネルギーが779.3eV以上で、781.0eV以下であるコバルト微粒子を担体に担持させた触媒、X線光電子分光法で10kV、18mAで測定した担体表面のコバルト原子比が0.1から1.5%であるコバルト微粒子を担体に担持した触媒、X線光電子分光法で10kV、18mAで測定した担体表面のコバルトとチタンの原子比が0.3以上かつ2.0以下であるコバルト微粒子をチタンを含有する担体に担持した触媒、或いは担体表面のコバルトと第2金属成分との重量比((コバルトの重量)/(第2金属成分の重量))が2.5以上であるコバルト微粒子を担体に担持した触媒を用い、その触媒と炭素含有化合物を温度500〜1200°Cで接触させて中空状ナノファイバーを生成する。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
X線光電子分光法で測定したコバルト2P3/2 の電子の結合エネルギーが779.3eV以上で、かつ781.0eV以下であるコバルト微粒子を担体に担持した触媒を用い、500〜1200°Cで炭素含有物と接触させることにより炭素を主成分とする中空状ナノファイバーを生成することを特徴とする中空状ナノファイバーの製造法。
IPC (6):
C01B31/02 ,  B01J29/035 ,  B01J29/10 ,  B01J29/86 ,  B01J29/89 ,  D01F9/127
FI (6):
C01B31/02 101F ,  B01J29/035 M ,  B01J29/10 M ,  B01J29/86 M ,  B01J29/89 M ,  D01F9/127
F-Term (56):
4G069AA03 ,  4G069BA07A ,  4G069BA07B ,  4G069BC30A ,  4G069BC34A ,  4G069BC38A ,  4G069BC49A ,  4G069BC50A ,  4G069BC50B ,  4G069BC53A ,  4G069BC54A ,  4G069BC57A ,  4G069BC59A ,  4G069BC61A ,  4G069BC62A ,  4G069BC65A ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BC67A ,  4G069BC67B ,  4G069BC68A ,  4G069BC69A ,  4G069BC72A ,  4G069BD03A ,  4G069BD03B ,  4G069CD10 ,  4G069EC27 ,  4G069ZA04A ,  4G069ZA04B ,  4G069ZA05A ,  4G069ZA05B ,  4G069ZA11A ,  4G069ZA36A ,  4G069ZA36B ,  4G069ZA37A ,  4G069ZA37B ,  4G069ZF05A ,  4G069ZF05B ,  4G146AA11 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC48 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA05 ,  4L037PA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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