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J-GLOBAL ID：200903006232181706

基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス

Inventor： イム ジェイムス エス ,  ソン ヒュン ジン ,  スポジリ ロバート エス ,  ヨーン ジュン エイチ
Applicant, Patent owner： ザ トラスティース オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997542270
Publication number (International publication number)：2000505241
Application date： May. 28, 1996
Publication date： Apr. 25, 2000
Summary：

【要約】トランジスタのような半導体集積化デバイスを、基板上に形成された半導体材料の膜で形成する。デバイス特性を改善するため、半導体材料は規則的な、準規則的な単一の結晶構造を有する。この構造体は、レーザ放射ビームの1個又は数個のパルスを用いて膜を局部的に露光し、この膜を全厚さにわたって局部的に溶融することを含む技術により作成する。その後、溶融した材料は膜の種領域から局部的に凝固する。半導体デバイスには、液晶表示装置の画素コントローラ及びドライバ並びに、イメージセンサ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、シリコンオンインシュレータ(SOI)、及び3次元集積化回路デバイスが含まれる。

Claim (excerpt)：

支持された半導体材料の膜の横方向に延在する部分として多結晶領域を形成するに当たり、 半導体材料中に熱を誘導するパルス状の放射を用いて、後側に位置する放射 透過性の基板と、基板上の第1の半導体膜と、第1の半導体膜上の耐熱性の膜と、耐熱性の膜上の第2の半導体膜とを具える構造体の前側及び後側から同時に露光し、前記横方向に延在する部分を含む半導体膜の横方向に延在する領域の全ての半導体材料を溶融し、 同時露光の後、前記領域の境界から横方向に凝固させることにより、多結晶の微細構造体を前記領域に形成する多結晶領域の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-283036
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-033739   Applicant：株式会社ジーティシー