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J-GLOBAL ID:200903006239063385

不飽和ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタン誘導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 東平 正道
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000085600
Publication number (International publication number):2001270841
Application date: Mar. 27, 2000
Publication date: Oct. 02, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ノルボルナンアルコール類を含有する原料を脱水反応させて不飽和ビシクロ〔2.2.1〕化合物を製造する方法において、目的物の収率が改良された工業的に有利な方法を提供する。【解決手段】 ノルボルナンアルコール類を含有する原料を脱水反応するにあたり、ノルボルナンアルコール類よりも20°C以上沸点の高い化合物の原料中の濃度を3質量%以下に調整した後に反応させる不飽和ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタン誘導体の製造方法である。
Claim (excerpt):
ノルボルナンアルコール類を含有する原料を脱水反応するにあたり、ノルボルナンアルコール類よりも20°C以上沸点の高い化合物の原料中の濃度を3質量%以下に調整した後に反応させることを特徴とする不飽和ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタン誘導体の製造方法。
IPC (3):
C07C 1/24 ,  C07C 13/40 ,  C07C 13/42
FI (3):
C07C 1/24 ,  C07C 13/40 ,  C07C 13/42
F-Term (3):
4H006AA02 ,  4H006AB60 ,  4H006AC13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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