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J-GLOBAL ID：200903006268383232

半導体装置

Inventor： 野中 義法
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機
Agent (1)： 大菅 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005040083
Publication number (International publication number)：2006228920
Application date： Feb. 17, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】 耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ドレイン領域61と、チャネル領域62と、ソース領域63と、ソース領域63の表面からチャネル領域62を貫通してドレイン領域61まで達するように形成されるトレンチ64内に深さ方向に対して垂直方向に2分割されて形成されるゲート電極2と、トレンチ64内の側壁とゲート電極2との間に形成されるゲート酸化膜3と、トレンチ内64の底部とゲート電極2との間に形成されゲート酸化膜3よりも厚く形成されるゲート酸化膜4と、2分割のゲート電極2の間全体に形成されるゲート酸化膜5とを備えて半導体装置1を構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の半導体領域と、 前記第1の半導体領域と反対の導電型からなり前記第1の半導体領域の一方面側の所定領域に形成される第2の半導体領域と、 前記第2の半導体領域と同じ導電型からなり前記第1の半導体領域の他方面側に形成される第3の半導体領域と、 前記第2の半導体領域の表面から前記第1の半導体領域を貫通して前記第3の半導体領域まで達するように形成されるトレンチと、 前記トレンチ内に深さ方向に対して垂直方向に2分割されて形成されるゲート電極と、 前記トレンチ内の側壁と前記ゲート電極との間に形成される第1のゲート絶縁膜と、 前記トレンチ内の底部と前記ゲート電極との間に形成され前記第1のゲート絶縁膜よりも厚く形成される第2のゲート絶縁膜と、 前記各ゲート電極の間全体に形成される第3のゲート絶縁膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/58 G

F-Term (7)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第2753155号 (第2〜5頁、第1〜17図)
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-182780   Applicant：サンケン電気株式会社