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J-GLOBAL ID：200903006316957254

単結晶の製造方法

Inventor： ウィルフリート・フォン・アモン ,  リディガー・シュモルク ,  ディーター・グレフ ,  ウルリッチ・ランバート
Applicant, Patent owner： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999146668
Publication number (International publication number)：2000007486
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Jan. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 欠陥密度を可能な限り小さくでき、かつ満足されるGOIを含むシリコン半導体ウェーハを製造できるプロセスを提供する。【解決手段】 酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法において、前記単結晶が引き上げられる間に6.5×1017原子/cm3未満の濃度の酸素、及び5×1013原子/cm3超の濃度の窒素でドーピングされることを特徴とする前記製造方法。

Claim (excerpt)：

酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法において、前記単結晶が引き上げられる間に6.5×1017原子/cm3未満の濃度の酸素、及び5×1013原子/cm3超の濃度の窒素でドーピングされることを特徴とする前記製造方法。

IPC (2)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06

FI (2)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-201762   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト