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J-GLOBAL ID：200903026261922252

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法

Inventor： ディエター・グラエフ ,  ヴィルフリート・フォン・アモン ,  ラインホルト・ヴァリッヒ ,  ペーター・クロテンターラー ,  ウルリッヒ・ラムベルト
Applicant, Patent owner： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997201762
Publication number (International publication number)：1998098047
Application date： Jul. 28, 1997
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。【解決手段】 低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、a)酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、850°C〜1100°Cの温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が80分未満であり;b)単結晶を加工してシリコンウエハを形成し;そしてc)シリコンウエハを少なくとも1000°Cの温度で少なくとも1時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。

Claim (excerpt)：

低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、a)酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、850°C〜1100°Cの温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が80分未満であり;b)単結晶を加工してシリコンウエハを形成し;そしてc)シリコンウエハを少なくとも1000°Cの温度で少なくとも1時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• シリコン単結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188540   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-128062   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平3-193698
  
• 特開平3-275598
  
• 単結晶引上げ方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-062248   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 単結晶成長方法及び単結晶成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-233209   Applicant：住友金属工業株式会社
• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134274   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252125   Applicant：株式会社東芝
• シリコンウェーハ、およびこのシリコンウェーハを得るためのシリコン単結晶の製造方法、ならびにその評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066074   Applicant：新日本製鐵株式会社