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J-GLOBAL ID：200903006334496566

多結晶シリコンの製造方法および装置

Inventor： イ ジェウォン
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008725
Publication number (International publication number)：1994345415
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Dec. 20, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 多結晶シリコンの製造方法および製造装置を提供する。【構成】 基板500に形成されたa-Si薄膜400を再結晶する方法において、第2光源600で基板500に備えられた薄膜状のa-Si400を予備加熱する段階と、第1光源100で前記第2光源600により予備加熱されたa-Siを加熱して溶融する段階と、第2光源600により溶融されたa-Siを加熱しながらシリコンを再結晶させる段階を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板に形成されたa-Si薄膜を再結晶する方法において、第2光源で基板に備えられた薄膜状のa-Siを予備加熱する段階と、第1光源で前記第2光源により予備加熱されたa-Siを加熱して溶融する段階と、第2光源により溶融されたa-Siを加熱しながらシリコンを再結晶させる段階を含むことを特徴とする多結晶シリコン製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  C30B 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜半導体装置とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-195905   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 特開平2-226718