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J-GLOBAL ID：200903006349932915

半導体メモリ素子の電圧発生装置

Inventor：
李 在 眞

About 李 在 眞

, 
李 康 説

About 李 康 説


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 三枝 英二 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002289899
Publication number (International publication number)：2003196979
Application date： Oct. 02, 2002
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 駆動能力が高く、安定的なセルプレート電圧を供給可能な半導体メモリ素子の電圧発生装置を提供すること。【解決手段】 セルプレート電圧がセルプレート基準電圧よりも高い場合に内部電源電圧の値を有し、前記セルプレート電圧が前記セルプレート基準電圧よりも低い場合に前記セルプレート電圧以下の値を有するプルアップ信号、及びプルダウン動作を制御するためのプルダウン信号を発生させる出力電圧制御手段と、前記プルアップ信号及び前記プルダウン信号に応じて安定したセルプレート電圧を発生させる出力駆動手段とを備える。
Claim (excerpt)：
セルプレート電圧がセルプレート基準電圧よりも高い場合に内部電源電圧の値を有し、前記セルプレート電圧が前記セルプレート基準電圧よりも低い場合に前記セルプレート電圧以下の値を有するプルアップ信号、及びプルダウン動作を制御するためのプルダウン信号を発生させる出力電圧制御手段と、前記プルアップ信号及び前記プルダウン信号に応じて安定した前記セルプレート電圧を発生させる出力駆動手段とを備えていることを特徴とする半導体メモリ素子の電圧発生装置。
IPC (2)：
G11C 11/407 ,  G05F 3/24
FI (2)：
G05F 3/24 B ,  G11C 11/34 354 F
F-Term (17)：
5H420NA12 ,  5H420NB02 ,  5H420NB13 ,  5H420NB25 ,  5H420NC02 ,  5H420NC23 ,  5M024AA91 ,  5M024BB29 ,  5M024BB40 ,  5M024CC12 ,  5M024FF04 ,  5M024FF05 ,  5M024FF07 ,  5M024FF30 ,  5M024HH09 ,  5M024PP03 ,  5M024PP09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-092781   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平3-245393
  • 特開昭63-211414
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Cited by examiner (1)
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-092781   Applicant：富士通株式会社

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