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J-GLOBAL ID:200903006360836464

傾斜層の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995330481
Publication number (International publication number):1996225948
Application date: Dec. 19, 1995
Publication date: Sep. 03, 1996
Summary:
【要約】【解決手段】 傾斜層を製造するプラズマCVD法であり、かかる層の傾斜は、被覆プロセス中に少なくとも1つの出力パラメーターを変化させることにより、層の成長方向に製造される。【効果】 パルス法でプラズマ出力を供給し、パルス振幅、パルス期間および/またはパルス間隔に関するプラズマ出力パラメーターを変化させることによって層の傾斜を調整することにより、高精度で薄層を形成できる。
Claim (excerpt):
層を製造するプラズマCVD法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも1つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスCVD法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する;さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも1つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップを含むことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2):
C23C 16/50 ,  B32B 9/00
FI (2):
C23C 16/50 ,  B32B 9/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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