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J-GLOBAL ID：200903072594663680
ラジカルの制御方法および装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241487
Publication number (International publication number)：1995094130
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、ラジカルの密度および組成を高精度に制御する方法および制御装置に関するものであり、薄膜電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセスに用いられる方法および装置を提供するにある。本発明を利用できる分野は、プラズマを用いたCVD、ドライエッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルCVD・エッチング装置等である。【構成】 高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビームを印加して形成されるプラズマにおいて、上記高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビーム電力を一定の周期にて、パルス変調し、該パルス変調のデュティー比を変化させることにより反応性ガスを分解し、反応性ガスの分解から生じるラジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方法および装置。
Claim (excerpt)：
高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビームを印加して形成されるプラズマにおいて、上記高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビーム電力を一定の周期にて、パルス変調し、該パルス変調のデュティー比を変化させることにより反応性ガスを分解し、反応性ガスの分解から生じるラジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
IPC (4)：
H01J 37/08
, H01J 27/14
, H01J 27/18
, H01J 27/20
