Pat
J-GLOBAL ID：200903006365768564

プラズマ処理装置

Inventor：
長阪 道雄

About 長阪 道雄

, 
鬼丸 毅

About 鬼丸 毅


Applicant, Patent owner：
株式会社プラズマシステム

About 株式会社プラズマシステム


Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114755
Publication number (International publication number)：1995302787
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいてイオン性処理反応とラジカル性処理反応の選択を可能とする簡便かつ安価なプラズマ処理装置を提供する。【構成】 半球状の反応室8の外周に沿い巻線状に設置したヘリカルアンテナコイル13により生成したプラズマPを反応室8内の下部に位置した基板Wに作用させるアッシング装置7において、基板Wを保持するステージ14がヘリカルアンテナコイル13の作用空間から外れた位置に設けられ、ヘリカルアンテナコイル13に印加する高周波電力を、容量結合型放電が発生する低電力領域から誘導結合型放電が発生する高電力領域までの範囲にわたって調節可能とする高周波電源16が具備されている。
Claim (excerpt)：
誘電体からなる半球状の反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイルにより前記反応室内に発生させたプラズマおよびその活性種を、前記反応室内の下部に位置した基板に対して作用させるプラズマ処理装置において、前記基板を保持するステージが、前記反応室内における前記ヘリカルアンテナコイルの作用空間から外れた位置に設けられているとともに、前記ヘリカルアンテナコイルに印加する高周波電力を、容量結合型放電が発生する低電力領域から誘導結合型放電が発生する高電力領域までの範囲にわたって調節可能とする高周波電力供給手段が具備されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM