マスク欠陥の修正方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260430
Publication number (International publication number)：1996123012
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】修正加工部以外がイオンビームに晒されることがなく、マスク基板の露出部及び遮光膜パターン部へのイオン注入やエッチングによるダメージを防ぐことができるマスク欠陥の修正方法を提供する。【構成】 FIB(フォーカスト・イオンビーム)を用いてマスクに発生した孤立の残渣によるパターン欠陥の修正を行う方法において、修正前にマスク全面あるいは加工部周辺に平坦な面を有するコート膜44を形成する工程と、遮光膜残渣欠陥43よりも広い領域のコート膜44を除去し、欠陥修正部の加工を行う領域を確認した後、修正加工を開始する工程と、前記遮光膜残渣欠陥43とコート膜44の境界を検出し、非遮光膜残渣欠陥部上にコート膜44を残したまま遮光膜残渣欠陥43のみを修正加工する工程と、修正加工後、コート膜44を除去する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

FIB(フォーカスト・イオンビーム)を用いてマスクに発生した孤立の残渣によるパターン欠陥の修正を行う方法において、(a)修正前にマスク全面あるいは加工部周辺に平坦な面を有するコート膜を形成する工程と、(b)残渣欠陥部よりも広い領域のコート膜を除去し、欠陥修正部の加工を行う領域を確認した後、修正加工を開始する工程と、(c)前記残渣欠陥部とコート膜の境界を検出し、非残渣欠陥部上に前記コート膜を残したまま残渣欠陥部のみを修正加工する工程と、(d)修正加工後、前記コート膜を除去する工程とを有することを特徴とするマスク欠陥の修正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (2)：

H01L 21/30 502 W , H01L 21/30 503 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-235422
フオトマスクのパターン欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-301996 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭61-063029

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