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J-GLOBAL ID：200903006400548017

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 浅井 誠 ,  柴田 直樹 ,  小出 典克
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267925
Publication number (International publication number)：1997092880
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】正方向の正電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。【解決手段】n伝導型の高キャリア濃度n+ 層3、発光層5、p伝導型のp層61とが3族窒化物半導体で形成された発光素子10において、発光層5と高キャリア濃度n+ 層3との間に、発光層5及び高キャリア濃度n+ 層3よりも電子濃度の低いn伝導型の3族窒化物半導体から成るn層4を設けた。n層4は、厚さ500〜6000Å、キャリア濃度5×1016〜5×1017/cm3のn伝導型の3族窒化物半導体で構成されている。n層4により、正方向の静電圧が印加された場合に、各層61、5、4、3及び各層間の電界が小さくなり、正方向の静電耐圧が向上する。500Vの正方向の静電耐圧が得られた。この値は従来の構造の発光素子の正方向の静電耐圧の5倍である。

Claim (excerpt)：

n伝導型の高キャリア濃度n+ 層、発光層、p伝導型のp層とが3族窒化物半導体で形成された発光素子において、前記発光層と前記高キャリア濃度n+ 層との間に、前記発光層及び前記高キャリア濃度n+ 層よりも電子濃度の低いn伝導型の3族窒化物半導体から成るn層を設けたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒素-3族元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100378   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-310533   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-163969