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J-GLOBAL ID:200903006424856600

(Ba,Sr)TiO3薄膜コンデンサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 重野 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995307395
Publication number (International publication number):1997148538
Application date: Nov. 27, 1995
Publication date: Jun. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 高容量で高絶縁性の薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 基板上に下部電極、誘電体薄膜及び上部電極を形成した薄膜コンデンサ。誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)で表される主成分と、該主成分に対してSiとして0.1〜10モル%のSi成分とからなるペロブスカイト構造を有する。この組成の有機金属化合物溶液を、下部電極上に塗布、乾燥、仮焼した後、450〜800°Cで焼成する。この組成のターゲットを用いて、基板温度400〜800°Cで下部電極上にスパッタリングする。【効果】 Si成分の添加で、熱処理の際の焼結性が向上し、比較的低い処理温度にて、高誘電率(高容量)、高絶縁性(低リーク電流密度)で高耐圧性の(Ba,Sr)TiO3 薄膜コンデンサを製造できる。
Claim (excerpt):
基板上に下部電極、誘電体薄膜及び上部電極を順次積層形成してなる薄膜コンデンサにおいて、該誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)で表される主成分と、該主成分に対してSiとして0.1〜10モル%のSi成分とからなるペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜であることを特徴とする(Ba,Sr)TiO3 薄膜コンデンサ。
IPC (8):
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 23/00 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (6):
H01L 27/10 651 ,  C01G 23/00 C ,  H01G 4/12 397 ,  C04B 35/46 C ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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