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J-GLOBAL ID：200903006426345696

半導体集積回路および半導体装置

Inventor： 中林 幸雄 ,  古賀 淳二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005060843
Publication number (International publication number)：2006245408
Application date： Mar. 04, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】 相補型IGFETを高速化し得る半導体集積回路および半導体装置を提供する。【解決手段】 相補型IGFETを備えた半導体集積回路4において、キャリア移動度の向上に適する第1の応力を第1のチャネル導電型IGFETに加えるとともに、キャリア移動度の向上に適する第1の応力とは逆方向の第2の応力を第2のチャネルIGFETに加える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

主面部に第1の応力が加えられた基板と、 前記基板主面部の第1の領域に配設された第1のチャネル導電型電界効果トランジスタと、 前記基板主面部の前記第1の領域と異なる第2の領域に配設された第2のチャネル導電型電界効果トランジスタと、を備え、 前記第1の応力によりキャリア移動度が増加する前記第1のチャネル導電型電界効果トランジスタを除き、前記第2のチャネル導電型電界効果トランジスタに前記第1の応力とは反対方向の第2の応力を加えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6)：

H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04

FI (5)：

H01L27/08 321A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 616V ,  H01L25/04 Z

F-Term (39)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC16 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF22 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HL08 ,  5F110HL24 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置、及び半導体装置の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-006305   Applicant：株式会社東芝