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J-GLOBAL ID：200903006476294480

二重磁気状態を有する磁気エレメントおよびその製造方法

Inventor： ユージーン・ユージュン・チェン ,  ジョン・マイケル・スローター ,  マーク・ダーラム ,  マーク・デヘレーラ ,  サイエド・エヌ・テラニ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383163
Publication number (International publication number)：2001250999
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ゼロ外部磁界において二重状態で動作可能な、改良された磁気エレメントを提供する。【解決手段】 磁気エレメント(10;10’;50;50’;80)は、複数の薄膜層を含み、ビット端静磁気反磁界が構造の全正結合を相殺することにより、ゼロ外部磁界において二重磁気状態を得る。また、磁気エレメント(10)の製造方法も開示する。複数の薄膜層を設け、これら薄膜層のビット端静磁気反磁界が構造の全正結合を相殺することにより、ゼロ外部磁界において二重磁気状態を得る。

Claim (excerpt)：

複数の薄膜層から成る磁気エレメント(10,10’,50,50’,80)であって、ビット端静磁気反磁界が、構造の全正結合を相殺し、外部磁界ゼロにおいて二重磁気状態を得ることを特徴とする磁気エレメント。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-276238   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-327327   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-117237   Applicant：株式会社東芝
• スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-118949   Applicant：アルプス電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Neel "orange-peel" coupling in magnetic tunneling junction devices"