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J-GLOBAL ID:200903021544509333

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998327327
Publication number (International publication number):1999266044
Application date: Nov. 17, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 熱的安定性が良好であり、大きなMR比を示す交換結合膜、MR素子およびMRヘッドを得る。【解決手段】 交換結合膜100は、基板1と多層膜とから成り、該多層膜は、強磁性体層3と該強磁性体層3に隣接して設けられ該強磁性体層3の磁化回転を抑制する磁化回転抑制層とを含んでおり、該磁化回転抑制層は、Fe-M-O層2(M=Al、Ti、Co、Mn、Cr、Ni、V)とを含んでいる。
Claim (excerpt):
基板と多層膜とから成り、該多層膜は、強磁性体層と該強磁性体層に隣接して設けられ該強磁性体層の磁化回転を抑制する磁化回転抑制層とを含んでいる交換結合膜であって、該磁化回転抑制層は、Fe-M-O層(M=Al、Ti、Co、Mn、Cr、Ni、V)とを含んでいる交換結合膜。
IPC (3):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08
FI (3):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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