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J-GLOBAL ID：200903006479112154

スパッタリングターゲットの製造方法

Inventor： 谷 典明 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  鈴木 郁生 ,  石川 道夫 ,  中村 久三
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315300
Publication number (International publication number)：1995166340
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 スパッタ時に異常放電やターゲットにひび割れが発生せず、長時間に亘ってターゲットにスパッタリングを行っても安定した放電が行えて安定した高い成膜速度で成膜することが出来るスパッタリングターゲットを製造する方法。【構成】 ターゲットの原料粉体を焼成してセラミックス材から成るスパッタリングターゲットの製造方法において、ターゲットを焼成する際、混合するセラミックスターゲットを構成する原料の少なくとも1つの原料をその一部または全部を酸化物粉体もしくは炭酸化物粉体ではなく、金属粉体の形で混合し、かつ真空中または酸素を含まない雰囲気中で焼成する。

Claim (excerpt)：

ターゲットの原料粉体を焼成してセラミックス材から成るスパッタリングターゲットの製造方法において、ターゲットを焼成する際、混合するセラミックスターゲットを構成する原料の少なくとも1つの原料をその一部または全部を酸化物粉体もしくは炭酸化物粉体ではなく、金属粉体の形で混合し、かつ真空中または酸素を含まない雰囲気中で焼成することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C22C 1/05 ,  H01L 21/285

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-136480
  
• 特開昭59-043518
  
• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120120   Applicant：真空冶金株式会社
• 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077572   Applicant：三菱マテリアル株式会社