誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120120
Publication number (International publication number)：1994330297
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】誘導体薄膜を形成する際に、直流スパッター法で成膜することが出来るスパッタリングターゲット。【構成】ターゲットを構成する金属酸化物が酸素欠損を有する酸化物であって、かつ電気抵抗率が10Ω・m以下であるスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットを構成する酸化物はその構成元素中の酸素を減少させた酸素欠損の酸化物であって、電気抵抗率が10Ω・m以下であることを特徴とする誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 21/285

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭59-043518
特開昭62-058510
特開昭59-136480

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