Pat

J-GLOBAL ID：200903006642686996

炭素を含むナノワイヤ構造

Inventor： ニウ, チョンミン
Applicant, Patent owner： ナノシス・インコーポレイテッド
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008541404
Publication number (International publication number)：2009524567
Application date： Nov. 20, 2006
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。

Claim (excerpt)：

炭素主体層を備えるナノワイヤ。

IPC (15)：

C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02 ,  C01B 31/36 ,  B01J 23/52 ,  B01J 32/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/46 ,  B01J 23/42 ,  H01B 1/04 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/96 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/10

FI (17)：

C01B31/02 101Z ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z ,  C01B31/36 601S ,  B01J23/52 M ,  B01J32/00 ,  B01J35/02 311Z ,  B01J23/46 M ,  B01J23/42 M ,  H01B1/04 ,  H01M4/58 103 ,  H01M4/96 B ,  H01M4/96 M ,  H01M4/86 B ,  H01M4/86 M ,  H01M8/10

F-Term (127)：

4G072AA01 ,  4G072AA41 ,  4G072BB04 ,  4G072BB20 ,  4G072FF07 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ47 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR11 ,  4G072UU15 ,  4G072UU30 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AD23 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC34B ,  4G146BC43 ,  4G146MA14 ,  4G146MB03 ,  4G146MB14 ,  4G146MB27 ,  4G146NA12 ,  4G146NB05 ,  4G146NB14 ,  4G169AA01 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA11 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04A ,  4G169BB15A ,  4G169BC16A ,  4G169BC17A ,  4G169BC22A ,  4G169BC31A ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC35A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC52A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC62A ,  4G169BC63A ,  4G169BC64A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC73A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CC32 ,  4G169DA05 ,  4G169EA03X ,  4G169EA03Y ,  4G169FA02 ,  4G169FB15 ,  5E078BA15 ,  5G301BA01 ,  5G301BA02 ,  5G301BA03 ,  5H018AA07 ,  5H018BB01 ,  5H018BB07 ,  5H018DD05 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE10 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018HH01 ,  5H018HH03 ,  5H018HH05 ,  5H018HH08 ,  5H026AA08 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026CC01 ,  5H026CC03 ,  5H026CX02 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE08 ,  5H026EE11 ,  5H026EE12 ,  5H026HH01 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08 ,  5H050BA16 ,  5H050CB01 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050DA03 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA16 ,  5H050GA21 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 米国特許第5,677,082号明細書
  
• 米国特許第6,303,266号明細書
  
• 米国特許第6,479,030号明細書
  
• 米国特許第6,582,673号明細書
  
• 米国特許第6,749,827号明細書
  
• 米国特許第6,756,026号明細書
  

Cited by examiner (1)

• ナノワイヤーおよびその製造方法、並びにそれを用いたナノネットワーク、ナノネットワークの製造方法、炭素構造体、電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-270808   Applicant：富士ゼロックス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Synthesis of SiC Nanowires with In-Situ Deposition of Carbon Coating
• 「新・炭素材料入門」, 19980810, p.143-149