半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995276782
Publication number (International publication number)：1997097883
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】強誘電体薄膜を有するキャパシタ構造中に水素や水分が拡散し難い構造を有する半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】半導体メモリ素子のキャパシタ構造は、(イ)基体20上に形成された下部電極22と、(ロ)下部電極22上に形成された強誘電体薄膜から成るキャパシタ部23と、(ハ)キャパシタ部23の上に形成された上部電極26から成り、(ニ)基体20と下部電極22の間に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、シリコン窒化物、ニッケル又はパラジウムから構成された第1の保護層21と、(ホ)上部電極26の上に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、ニッケル又はパラジウムから構成された第2の保護層27を更に備えている。

Claim (excerpt)：

(イ)基体上に形成された下部電極と、(ロ)該下部電極上に形成された強誘電体薄膜から成るキャパシタ部と、(ハ)該キャパシタ部の上に形成された上部電極、から成る半導体メモリ素子のキャパシタ構造であって、(ニ)該基体と下部電極の間に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、シリコン窒化物、ニッケル及びパラジウムから構成された材料群から選択された材料から成る1層若しくは多層の第1の保護層と、(ホ)該上部電極の上に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、ニッケル及びパラジウムから構成された材料群から選択された材料から成る1層若しくは多層の第2の保護層、を更に備えていることを特徴とする半導体メモリ素子のキャパシタ構造。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平4-092468
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
特開平2-183569

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Cited by examiner (4)

特開平4-092468
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
特開平2-183569

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