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J-GLOBAL ID:200903006729771477

防眩性反射防止フィルム、その製造方法、該防眩性反射防止フィルムを用いた偏光板および該偏光板を用いた液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005164467
Publication number (International publication number):2006337852
Application date: Jun. 03, 2005
Publication date: Dec. 14, 2006
Summary:
【課題】 低屈折率層をウエット塗布で形成した防眩性反射防止フィルムに関して、表面凹凸が最適化された防眩性反射防止フィルムを提供すること。上記の防眩性反射防止フィルムを高い生産性で製造可能な製造方法を提供すること。該防眩性反射防止フィルムを用いた偏光板および液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 透明支持体2上に少なくとも防眩層3と低屈折率層4を有し、以下のI)〜II)を満たす防眩性反射防止フィルム、その製造方法、これを用いた偏光板および液晶表示装置。I)防眩性反射防止フィルムの内部散乱に起因するヘイズ値(hi)が、(hi)≦50%、II)防眩層の表面散乱に起因するヘイズ値(hs、AG)と該低屈折率層を形成した後の防眩性反射防止フィルムの表面散乱に起因するヘイズ値(hs、AGAR)の比が、0.05<(hs、AGAR)/(hs、AG)<1である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明支持体上に少なくとも防眩層と低屈折率層を有する防眩性反射防止フィルムであって、下記条件I)およびII)を満たすことを特徴とする、防眩性反射防止フィルム。 I)該防眩性反射防止フィルムの内部散乱に起因するヘイズ値(hi)が、(hi)≦50%である。 II)該防眩層の表面散乱に起因するヘイズ値(hs、AG)と該低屈折率層を形成した後の該防眩性反射防止フィルムの表面散乱に起因するヘイズ値(hs、AGAR)の比(hs、AGAR)/(hs、AG)が、0.05<(hs、AGAR)/(hs、AG)<1である。
IPC (5):
G02B 1/11 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/30 ,  B32B 7/02 ,  G02F 1/133
FI (5):
G02B1/10 A ,  G02B1/10 Z ,  G02B5/30 ,  B32B7/02 103 ,  G02F1/1335
F-Term (62):
2H049BA02 ,  2H049BA06 ,  2H049BA42 ,  2H049BB22 ,  2H049BB65 ,  2H049BC22 ,  2H091FA07X ,  2H091FA07Z ,  2H091FA08X ,  2H091FA08Z ,  2H091FA37X ,  2H091FA37Z ,  2H091FA41Z ,  2H091FB02 ,  2H091GA01 ,  2H091KA01 ,  2H091LA12 ,  2H091LA30 ,  2K009AA04 ,  2K009AA12 ,  2K009CC09 ,  2K009CC23 ,  2K009CC24 ,  2K009CC26 ,  2K009EE00 ,  2K009EE03 ,  4F100AA01C ,  4F100AA20C ,  4F100AH06C ,  4F100AK03 ,  4F100AK12B ,  4F100AK17 ,  4F100AK17C ,  4F100AK25B ,  4F100AL01B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100CA02C ,  4F100CA21D ,  4F100DE01B ,  4F100DE01C ,  4F100EH46 ,  4F100GB41 ,  4F100JA20B ,  4F100JB13C ,  4F100JB14C ,  4F100JG03D ,  4F100JK15 ,  4F100JL00 ,  4F100JM02C ,  4F100JN01A ,  4F100JN01D ,  4F100JN06 ,  4F100JN18C ,  4F100JN30B ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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