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J-GLOBAL ID：200903006731111646

銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたpn接合構造

Inventor： 外岡 和彦 ,  下川 勝義 ,  西村 興男
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001388156
Publication number (International publication number)：2003192345
Application date： Dec. 20, 2001
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大面積の導電性銅アルミ酸化物を常圧の大気中にて作成する方法及びそれを用いて構成したpn接合を提供する。【解決手段】 硝酸銅と硝酸アルミニウムと水からなる原料水溶液を結晶性のシリコン基板、結晶性の酸化シリコン基板、結晶性の酸化アルミニウム基板に塗布し、静置した後、乾燥させ、次いで焼成する配向構造を有する銅アルミ酸化物薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

硝酸銅と硝酸アルミニウムと水からなる原料水溶液を結晶性のシリコン基板、結晶性の酸化シリコン基板、結晶性の酸化アルミニウム基板に塗布し、静置した後、乾燥させ、次いで焼成する配向構造を有する銅アルミ酸化物薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C01G 3/00 ,  H01L 29/861

FI (2)：

C01G 3/00 ,  H01L 29/91 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030000   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 液相法によるCuAlO2の合成
• 液相法によるCuAlO2の合成