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J-GLOBAL ID：200903006752736212

半導体装置

Inventor： 鈴木 啓功 ,  矢ノ倉 栄二 ,  飯島 哲郎 ,  工藤 聡 ,  今井 保雄 ,  小林 正義 ,  沼沢 澄人 ,  重松 卓 ,  金澤 孝光 ,  春山 正光
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997017969
Publication number (International publication number)：1998214968
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 トレンチゲート構造のFETにて、ゲート耐圧を低下させることなくゲート絶縁膜を薄くする、或はゲート絶縁膜を厚くせずにゲート耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。【解決手段】 トレンチゲート構造のFETを有する半導体装置において、前記トレンチゲートの終端部に電界緩和部を設ける。【効果】 上述した手段によれば、ゲートの終端部に設けた電界緩和部にて、局部的な高電界が発生するのを防止することができるので、ゲート耐圧を低下させることなくゲート絶縁膜を薄くする、或はゲート絶縁膜を厚くせずにゲート耐圧を向上させることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板主面に延設した溝部にゲートとなる導体層を設けるトレンチゲート構造のFETを有する半導体装置において、前記トレンチゲートの終端部に電界緩和部を設けたことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電力用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-206799   Applicant：株式会社東芝
• 縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303981   Applicant：シャープ株式会社
• 電圧駆動型半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-003588   Applicant：株式会社日立製作所