磁気素子を搭載した集積回路

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：北村欣一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263316
Publication number (International publication number)：2000101025
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路2の上に磁気素子5を搭載した従来の集積回路では、磁気素子5を形成する場所の表面の凹凸のため磁気素子5の性能が悪くなる。半導体集積回路2に対して磁気素子5を並べて形成すると集積回路1全体の面積が小さくならない。また、磁気素子5のコイル部51で生じる磁束が半導体集積回路2へ漏洩して半導体集積回路2の動作に悪影響を及ぼす。【解決手段】保護膜3上に上面が平坦になるように絶縁膜4を形成し、該絶縁膜4上に膜状コア53を含む磁気素子5を形成するようにした。

Claim (excerpt)：

保護膜で覆われた半導体集積回路上に磁気素子を搭載した集積回路において、上記保護膜上に上面が平坦になるように絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上面に、半導体集積回路に対して平行なコイル部と、該コイル部と半導体集積回路との間に位置する膜状のコアとで構成した磁気素子を設けたことを特徴とする磁気素子を搭載した集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

FI (2)：

H01L 27/04 L , H01F 17/00 B

F-Term (11)：

5E070AB01 , 5E070AB10 , 5E070BA20 , 5E070BB01 , 5E070BB02 , 5E070CB12 , 5E070CB20 , 5E070DA17 , 5F038AZ04 , 5F038AZ10 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体チツプ搭載用電磁装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-255603 Applicant：富士電機株式会社
薄膜磁気素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-286299 Applicant：富士電機株式会社
特開昭63-221629

Return to Previous Page