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J-GLOBAL ID:200903003896398282

薄膜磁気素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996286299
Publication number (International publication number):1998135040
Application date: Oct. 29, 1996
Publication date: May. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】高周波電流の大小によらず、大きなQ値を確保できる薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】1は半導体基板、2は下地絶縁膜で、これらが絶縁性基板20を構成する。6は薄膜トランスおよび薄膜インダクタとして使用される薄膜磁気素子であって、下地絶縁膜2上に形成されている。薄膜磁気素子6は帯状の銅膜などからなる第1コイル導体5aおよび第2コイル導体5bと、これらのコイル導体5a、5bを挟むように上下に配置された磁性層としての第1軟磁性層3aおよび第2軟磁性層3bと、該軟磁性層3a、3bと前記コイル導体5a、5bとの間を埋める層間絶縁膜4(ポリイミド層)と、前記コイル導体5a、5bの両端が一緒に接続される金属性のパッド7、8(外部導出端子)とから構成されている。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟んむように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層を絶縁膜を挟んで積層することを特徴とする薄膜磁気素子。
IPC (4):
H01F 17/04 ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3):
H01F 17/04 A ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/04 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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