広帯域反射光測定法を用いた処理終点検知方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：廣江武典 , 宇野健一 , 武川隆宣 , ▲高▼荒新一 , 中村繁元
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005506611
Publication number (International publication number)：2005536075
Application date： Aug. 12, 2003
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

パターン化基板の処理中の関心パラメータを決定する方法が、広帯域スペクトルの光線を用いてパターン化基板の少なくとも一部に照射することで得られる測定正味反射スペクトルを得るステップと、パターン化基板の一部を構成するさまざまな領域からの重み付け反射非干渉総和としてモデル化正味反射スペクトルを計算するステップと、測定正味反射スペクトルとモデル化正味反射スペクトルとの間で正確に一致する1組のパラメータを決定するステップとを含む。選択された遷移波長未満の波長に対して、領域を構成する横方向の別エリアに対応する積層薄膜からの反射場の重み付け干渉総和として各領域からの反射率を計算するため第1の光学モデルを用いる。遷移波長を越える波長に対して、各領域からの反射を計算するため、有効媒体近似に基づく第2の光学モデルを用いる。

Claim (excerpt)：

パターン化基板の処理中に関心パラメータを決定する方法であって、この方法が: 広帯域スペクトルの光線を用いてパターン化基板の少なくとも一部に照射することで得られる測定正味反射スペクトルを得るステップと; パターン化基板の一部を構成するさまざまな領域からの重み付け反射非干渉総和としてモデル化正味反射スペクトルを計算するステップと: 広帯域スペクトルにおいて選択された遷移波長未満の波長に対して、領域を構成する横方向の別エリアに対応する積層薄膜からの反射場の重み付け干渉総和として各領域からの反射率を計算するため第1の光学モデルを用いるステップと; 広帯域スペクトルにおいて選択された遷移波長を越える波長に対して、領域内の層を有効均一媒体と置き換えることにより得られる積層薄膜から反射場として各領域からの反射率を計算するため第2の光学モデルを用いるステップと; 測定正味反射スペクトルとモデル化正味反射スペクトル間で正確に一致する1組のパラメータを決定するステップとを備える方法。

IPC (5)：

H01L21/3065 , G01B11/06 , G01N21/00 , G01N21/27 , G01N21/45

FI (5)：

H01L21/302 103 , G01B11/06 G , G01N21/00 B , G01N21/27 B , G01N21/45 A

F-Term (31)：

2F065AA25 , 2F065AA30 , 2F065BB02 , 2F065BB17 , 2F065CC17 , 2F065CC31 , 2F065FF51 , 2F065HH13 , 2F065LL02 , 2F065LL67 , 2F065QQ18 , 2F065QQ42 , 2G059AA05 , 2G059BB10 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE09 , 2G059EE12 , 2G059JJ11 , 2G059JJ17 , 2G059MM01 , 2G059MM02 , 2G059MM05 , 5F004BB02 , 5F004BD04 , 5F004CA08 , 5F004CB09 , 5F004CB16 , 5F004DB02 , 5F004EA27 , 5F004EB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体プロセスの終点検出
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-545188 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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