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J-GLOBAL ID:200903006830343796
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998319481
Publication number (International publication number):2000150872
Application date: Nov. 10, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 トレンチゲート型半導体において、ゲート間隔を縮小して素子密度を向上させる。【解決手段】 p+基板12上に順次、nドリフト領域14、pボディ領域20、n+ソース領域22、n+延長領域100、絶縁膜24、ソース電極26を形成する。ゲート電極18はトレンチ内に形成され、ゲート酸化膜16で絶縁する。ゲート酸化膜16の上部は側部より厚くし、ソース電圧印加時にも絶縁状態を維持する。n+延長領域100を形成してソースコンタクトとし、ゲート間隔c2をコンタクト開口幅c1以下とする。これにより、素子幅c3も縮小して素子密度が向上する。
Claim (excerpt):
トレンチゲート間にボディ領域及びソース領域を備えた半導体装置において、トレンチゲート側部から上部にわたって前記ボディ領域またはソース領域を延長した延長領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 29/78
, H01L 29/74
, H01L 29/749
FI (6):
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/74 X
, H01L 29/74 601 B
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 K
F-Term (16):
5F005AA03
, 5F005AB03
, 5F005AC02
, 5F005AE07
, 5F005AE09
, 5F005AH01
, 5F005AH02
, 5F005AH03
, 5F005AH04
, 5F005GA01
, 5F040EB14
, 5F040EC20
, 5F040EE04
, 5F040EM04
, 5F040FA12
, 5F040FC11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-246712
Applicant:株式会社東芝
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