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J-GLOBAL ID：200903006830901047

緻密な焼結体、その製造方法およびハードディスク記憶装置製造用の該焼結体からなる基板

Inventor： ヘルムート ケルカー ,  ロレンツ ズィクル ,  トーマス ケンプフ
Applicant, Patent owner： エレクトロシュメルツベルク・ケンプテン・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997209089
Publication number (International publication number)：1998095671
Application date： Aug. 04, 1997
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 安価な焼結方法で製造できる、ハードディスク記憶装置の製造に使用できる炭化ケイ素をベースとする材料を提供する。【解決手段】 a)45〜99.5重量%までがSiCからなり、この場合SiCが焼結体中で結晶質の第1相として存在し、かつb)0.5〜55重量%までが焼結助剤からなり、この場合焼結助剤が焼結体中で第2相および場合によりさらに別の相として存在する緻密な焼結体において、第2および場合によりさらに別の相が10%より多くまで非晶質であるか、または第1相との界面で少なくとも幅≧5Åで非晶質で存在し、かつ焼結体のポリッシング表面が直径1>μmの孔を有さないことを特徴とする、緻密な焼結体により解決される。【効果】 コンピュータのハードディスク記憶装置製造用の基板に適している。

Claim (excerpt)：

a)45〜99.5重量%までがSiCからなり、この場合SiCが焼結体中で結晶質の第1相として存在し、かつb)0.5〜55重量%までが焼結助剤からなり、該助剤は0.5〜30重量%までがAl2O3とY2O3との反応生成物、少なくとも一種の窒素含有アルミニウム化合物1種およびAl2O3とY2O3との反応生成物の混合物、少なくとも1種の希土類酸化物と少なくとも1種の窒素含有アルミニウム化合物および/またはAl2O3の混合物の群から選択され、かつ0〜25重量%までが窒化ケイ素化合物の群から選択され、この場合焼結助剤が焼結体中で第2相および場合によりさらに別の相として存在する緻密な焼結体において、第2相および場合によりさらに別の相が10%より多くまで非晶質であるか、または第1相との界面で少なくとも幅≧5Åで非晶質で存在し、かつ焼結体のポリッシング表面が直径1>μmの孔を有さないことを特徴とする、緻密な焼結体。

IPC (2)：

C04B 35/565 ,  G11B 5/62

FI (2)：

C04B 35/56 101 F ,  G11B 5/62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 超塑性炭化ケイ素焼結体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-070609   Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
• 炭化けい素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-118235   Applicant：日本セメント株式会社