フォトリソグラフィパターン製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富村潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996509799
Publication number (International publication number)：1998505172
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： May. 19, 1998
Summary：

【要約】サブミクロン範囲のフォトレジストパターンの製造方法において基板上に無水カルボン酸基及びt.-ブチルエステル-又はt.-ブトキシカルボニルオキシ基を含むポリマー、芳香族又は脂肪族-芳香族ヒドロキシ化合物を含むナフトキノンジアジド-4-スルホン酸のエステルの形の光活性成分及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を施す。このフォトレジスト層を更に乾燥し、像に応じて露光し、120〜150°Cの温度で100〜600秒間熱処理し、更にこのフォトレジスト層を液状シリル化し、異方性酸素プラズマ中で乾式現像する。

Claim (excerpt)：

無水カルボン酸基及びt.-ブチルエステル基又はt.-ブトキシカルボニルオキシ酸基を含むポリマー、芳香族又は芳香族-脂肪族ヒドロキシ化合物を有する以下の構造[式中基Rは-互いに独立して-水素、アルキル、ハロゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニル、フェノキシ又はハロゲンを表す]のナフトキノンジアジド-4-スルホン酸のエステルの形の光活性成分、及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を基板上に施し、このフォトレジスト層を乾燥し、このフォトレジスト層を像に応じて露光し、露光されたフォトレジスト層を120〜150°Cの温度で100〜600秒間熱処理し、このように処理されたフォトレジスト層を液状シリル化し、シリル化されたフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ中で乾式現像することを特徴とするサブミクロン範囲のフォトリソグラフィパターン製造方法。

IPC (5)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/022 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/022 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-347857
フオトリソグラフイによる構造物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353048 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平3-249654

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