レティクルとレティクルにより作成される半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206691
Publication number (International publication number)：1997034100
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】ラインアンドスペースの一番外側にあるラインを2光結像させ、解像度と焦点深度の低下がない露光を行うレティクルを提供する。【構成】縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射照明光の照射により、基板上に投影露光される転写パターンが形成されたレティクルであり、転写パターンが、一方向に長い形状で繰り返されるライン幅Lのラインパターン21とスペース幅Sのスペースパターン22とからなるラインアンドスペースパターン23と、ラインアンドスペースパターン23の外側に、スペース幅Sの距離に形成され、縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパターン24とで構成されている。最外側のラインパターン21のコントラストは、内側のラインパターン21とほぼ等しく、解像度や焦点深度の低下がなく、斜入射照明を行った場合に、基板上の投影像の解像度と焦点深度とを向上され、高精度で精密なレジストパターンの形成が可能になる。

Claim (excerpt)：

縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射照明光で照射されることにより、ウエハ上に投影露光される転写パターンが形成されたレティクルであり、前記転写パターンは、一方向に長い形状で繰り返されるライン幅Lとスペース幅Sのラインアンドスペースパターンと、該ラインアンドスペースパターンの外側に、前記スペース幅Sの距離に形成され、前記縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパターンとを有することを特徴とするレティクル。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 D , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 515 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-019191 Applicant：日本電信電話株式会社
マスクおよびパタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-158189 Applicant：日本電信電話株式会社

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