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J-GLOBAL ID：200903006907201795

高分子液晶デバイスの作製方法

Inventor： 明石 量磁郎 ,  二宮 正伸 ,  朝長 淳一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071843
Publication number (International publication number)：1997258190
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡単な操作条件で処理することにより、光散乱性及び光反射性等の光学特性に優れた高分子液晶デバイスを容易に作製する方法を提供する【解決手段】 高分子液晶組成物と溶剤を含む塗布溶液を基材上に塗布し、得られる塗布層を熱アニールすることにより高分子液晶組成物の内部構造を制御して形成される高分子液晶組成物層を有する高分子液晶デバイスの作製において、該塗布層中に溶剤量が10重量%以上含まれる状態で熱アニールを行い、かつ該熱アニールは、該高分子液晶組成物のガラス転移点以上であって透明化点未満の温度範囲で行うことを特徴とする高分子液晶デバイスの作製方法。

Claim (excerpt)：

高分子液晶組成物と溶剤を含む塗布溶液を基材上に塗布し、得られる塗布層を熱アニールすることにより高分子液晶組成物の内部構造を制御して形成される高分子液晶組成物層を有する高分子液晶デバイスの作製方法において、該塗布層中に溶剤量が10重量%以上含まれる状態で熱アニールを行い、かつ該熱アニールは、該高分子液晶組成物のガラス転移点(Tg)以上であって透明化点(Tcl)未満の温度範囲で行うことを特徴とする高分子液晶デバイスの作製方法。

IPC (2)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/13 101

FI (2)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/13 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-040619
  
• 特開平4-012322
  
• 光学素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-072949   Applicant：富士ゼロックス株式会社